Co je překrytí v MEMS?

In MEMS (microelectromechanical systems) manufacturing, the lithography process is the central step in determining whether the pattern in the layout can be accurately "printed" onto the silicon wafer. The overlay of lithography is a key indicator to measure the accuracy of the lithography machine in aligning the patterns of different layer designs. Lithography overlay refers to the alignment Přesnost mezi vzory obvodů vytvořených dvěma litografickými procesy před a po výrobním procesu čipu .

0040-02544 Horní část těla, dps metal

Pokud jde o zařízení MEMS, přesnost překrytí je kritická . Bez tlakového čipu jako příkladu, je nutné provádět přední a zadní překrytí a přesné zarovnání je základem pro zajištění správného relativního polohy citlivého prvku citlivého tlaku a vibrační diafragm a jakékoli překrytí, a jakékoli překrytí, a jakékoli překrytí, a jakékoli překračování může vést k tlaku v pohledu tlaku, a to, že je možné přicházet k tlaku,} {1 tlak v tlaku} {1 tlak v chipném tlaku} {1 tlak v chipném poloze} {1 tlak v chiptovaném tlaku}} {1 tlak v chiptovaném měničce} {1 tlak v chiptovaném měniči {1 {1 tlak v chiptovaném tlaku} {1 tlak v chipném výkusu} {1 tlak v chipném chiptu { V gyroskopu čipu určuje přesnost překrytí vztah relativní polohy mezi strukturou mikromechanické vibrace a detekční elektrodou, a pokud dojde k velké chybě, citlivost a stabilita gyroskopu bude výrazně snížena a nelze poskytovat spolehlivé údaje o měření úhlu pro aplikace, jako je například navigace .}}.}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}

 

Overlay errors are derived from lithography alignment errors, which require the lithography machine to align the alignment marks of the previous layer when exposed, but may result in slight deviations due to errors in the optical system. For example, the manufacturing accuracy limitations of optical components and wear and tear over time can cause deviations in the alignment process, making the pattern of the current lithography layer not exactly shodujte se s předchozí vrstvou .

 

In addition to lithography alignment errors, MEMS process errors can also cause overlays. When SiO₂, Si₃N₄, or metal layers are deposited, the stress of the material can cause local deformation of the wafer. Different materials will have different degrees of internal stresses during the deposition process, and when these stresses accumulate to a certain extent, the wafer will be bent or Warped, což způsobuje, že se následná litografická vrstva odchyluje při zarovnání a přenosu vzorů . Vysokoteplotní procesy (E . G ., oxidace, oxidace, žíhání) může způsobit teplérium, které mohou způsobit teplální materiály), které mohou způsobit tepelné materiály), které mohou způsobit tepelné materiály), které mohou způsobit teplální materiál) napětí uvnitř oplatky, což má za následek deformaci . Tato deformace může ovlivnit přesnost vyrovnání následných litografických vrstev, což má za následek nesprávnou vyrovnání vzoru .

715-028405-001 Bydlení, dolní reakční komora

Ilustrace vlivu warpage na překrytí v procesu MEMS

Jak ovládat a optimalizovat chybu překrytí? V procesu IC má korekce optické blízkosti (OPC) používat metodu výpočtu k opravě vzoru na síti tak, aby vzor promítnutý na fotorezist splňoval požadavky na návrh co nejvíce, aby ovládala překrytí chyby . v Mems Proces, je opc použity a opc je RARELY, a opc je RARELY, a optická kompenzační proces, a optická kompenzační, a opc je Rrarely a opc je použita a optická kompenzační proces, a opc kompenzační a opc je RARELY. Používá se . V procesu MEMS je přesnost překrytí vylepšena hlavně vysoce přesnými litografickými stroji . Na úrovni procesu, výběr materiálů s podobnými tepelnými roztahovacími koeficienty může účinně snížit rozmnožování interlayerů způsobené změnami teploty . například, když usazují, že materiály, které by mohly být důkladně, nebo je třeba, aby se materiály mohly nebo důkladně, nebo je třeba, aby se materiály daly, nebo je rozumné, aby se materiály nebo kovů mohly dařit, aby se materiály nebo kovové propojily. Srovnávané pro snížení vnitřního napětí způsobeného rozdílem v tepelné roztažení materiálu, čímž se sníží stupeň deformace oplatky a zlepšení přesnosti překrytí .